李佐宜的个人简介
李佐宜男，1933年出生，江西南昌人。1957年毕业于清华大学机械系，分配到北京航空材料研究所工作。1973年调入华中工学院。1981年6月至1984年1月以客座研究员身份在日本大阪大学基础工学部从事高密度磁存储薄膜及其应用研究。首次在轻稀...基本内容
李佐宜
男，1933年出生，江西南昌人。1957年毕业于清华大学机械系，分配到北京航空材料研究所工作。1973年调入华中工学院。1981年6月至1984年1月以客座研究员身份在日本大阪大学基础工学部从事高密度磁存储薄膜及其应用研究。首次在轻稀土-铁族合金中研制成功Sm-Co非晶垂直磁化膜，开辟了高密度磁记录材料的新系列，受到国际学术界的重视，其论文“低温高频溅射法制造Sm-Co薄膜的特性”、“磁场中戮射非晶Sm-Co薄膜”，分别在1982年日本应用物理学会年会、日本应用磁学学会年会发表。综合论文“非晶Sm-Co溅射薄膜及其磁各向异性”，刊登在《日本应用磁学会志》1983年第二期，研究成果列入日本文部科学省特定研究非晶材料、物性研究成果报告书，1983年获日本大阪大学工学博士学位。1986年晋升为教授，1989年被批准为博士生指导教师。现招收电子材料与元件学科硕士生和博士生多名，1991年进入电子学与通信博士后科研流动站任导师。
